额外维度下轻子味暗物质中受抑制的味破坏

味暗物质（FDM）模型的现象学研究常常不得不假设耦合矩阵中近对角的味结构，以与味破坏过程的限制保持一致。在本文中，我们表明对于轻子FDM，此类结构可自然源于额外维度设置。该额外维度取为平直的，暗物质与媒介场被限制在额外维度一端的膜上，而希格斯场在另一端的膜上。标准模型费米子与规范场是具有适当边界条件的相应体场的零模。整体味对称存在于体内部及FDM膜上，而在希格斯膜上被破缺。味破坏过程源于两膜上相互作用对角化基的错位，其大小可通过沿额外维度的轻子分布轮廓的选择来控制。通过研究该模型的参数空间，我们表明当满足遗迹丰度与间接探测约束时，诸如$\mu\to e\gamma$之类的味破坏过程速率仍远低于实验极限。