通过小量子点在 N-S 与 S-S 结之间的共隧穿中的超能隙异常

研究了共振能级耦合到正常-超导或两超导引线时，在偏压 $V$ 超过超导能隙 $2\Delta$ 的区域内的共隧穿电流。由于共振能级上的在位排斥作用，共隧穿一个电子会伴随超导引线中准粒子的产生。能量守恒对此非弹性输运通道施加了一个阈值：N-S 情形为 $V_c=3\Delta$，S-S 情形为 $\tilde{V}_c=4\Delta$。我们证明在相应阈值附近电流的行为是非解析的，即 $\delta I^{in}(V)\propto (V-V_c)^{3/2}\Theta(V-V_c)$ 和 $\delta I^{in}(V) \propto (V-\tilde{V}_c)\Theta(V-\tilde{V}_c)$。S-S 引线中更强的异常是能隙边缘处态密度增强的结果。此外，增强的态密度使得库仑阻塞区域内双电子共隧穿过程的阈值异常比 N-N 引线更为显著。