$\eta$-碳化物型氧化物Zr4Rh2Ox中的超导性

我们报道了Zr$_4$Rh$_2$O$_{x}$ ($x$ = 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 1.0)的合成与超导性。这些化合物结晶于$\eta$-碳化物结构，该结构是复杂金属间化合物Ti$_2$Ni结构的填充版本。我们发现，在Zr$_4$Rh$_2$O$_{x}$体系中，仅少量($x$ $\geq$ 0.4)氧的加入即稳定了$\eta$-碳化物结构，而非Zr$_2$Rh所结晶的更常见的金属间CuAl$_2$结构类型。我们表明Zr$_4$Rh$_2$O$_{0.7}$与Zr$_4$Rh$_2$O是体超导物，其电阻率临界温度分别为 $T_c \approx$ 2.8 K 与 4.7 K。我们对超导性质的分析揭示这两种化合物均为强II类超导体，临界场可达 $\mu_0 H_{c1}$(0) $\approx$ 8.8 mT 与 $\mu_0 H_{c2}$(0) $\approx$ 6.08 T。我们的结果支持$\eta$-碳化物是研究间隙掺杂对物理性质特别是超导性影响的通用化合物家族。