三元锗化物ScPdGe和硅化物ScPdSi中的超导电性
超导电性
2023-12-25 v1
摘要
研究了分别结晶在六方ZrNiAl结构和正交TiNiSi结构中的ScPdGe和ScPdSi的电子性质。基于使用合成多晶样品测量的电阻率和热容数据，发现ScPdGe和ScPdSi分别在0.9 K和1.7 K以下显示体超导电性。第一性原理计算表明，两种材料在费米能级处都存在Sc 3d和Pd 4d电子的大贡献。讨论了这些材料的电子性质和电子态，并与几种含钪和4d过渡金属元素的超导体的性质进行了比较。
引用
@article{arxiv.2312.06045,
title = {Superconductivity in Ternary Germanide ScPdGe and Silicide ScPdSi},
author = {Yusaku Shinoda and Yoshihiko Okamoto and Youichi Yamakawa and Hiroshi Takatsu and Hiroshi Kageyama and Daigorou Hirai and Koshi Takenaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.06045},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 4 figures, accepted for publication in J. Phys. Soc. Jpn