锦合体系中的超导存储与 trapped 磁通

超导存储因其高速、高能效、非易失性和与量子计算设备的兼容性，被视为数据存储的有前景技术。然而，由于需要低温，超导存储是极其昂贵和专业化的设备。锦合体系的高临界温度（240-250 K）代表了一个便利的平台，用于研究无序颗粒系统中超导性相关效应。在本工作中，我们研究了在 175-196 GPa 压力下，最近发现的镱钕（La,Nd）H$_{10}$ 和镱钛（La,Sc）H$_{12}$ 超氢体中的 trapped 磁通和记忆效应。我们使用几台特斯拉（T）的稳定磁场和最高可达 68 T 的强脉冲磁场在压缩的超氢体中创建 trapped 磁通状态。我们发现 cerium CeH$_{9-10}$ 和镱铈（La,Ce）H$_{10+x}$ 多氢体中出现逆时针磁阻滞现象，这是颗粒超导体的特征。对具有冻结磁通的样品的电压-电流特性和电压-温度曲线的研究表明，La-Sc 多氢体在 225-230 K 已显示显著的记忆效应。