由 SU-8 柱直接创建真空间隙低至 190 nm 的宏观板间超普朗克辐射传热及其电容法表征
应用物理
2020-05-06 v2
摘要
本工作中，我们实验演示了在室温以上 74.7 K 温差下，面积为 1x1 cm2 的重掺杂硅芯片之间，在 190 nm 真空间隙距离处，近场热辐射增强超过黑体极限 11 倍。SU-8 聚合物柱因其低导热性使传导小于总传热量的 6%，被精心制备成不同高度，以直接创建由电容测量原位精确确定的从 507 nm 到 190 nm 的真空间隙。实验结果由基于涨落电动力学的理论计算验证，其揭示增强机制主要为耦合的表面等离激元极化子。此处开发的实验方法将促进由导电材料（如金属、石墨烯和透明导电氧化物，此外还有重掺杂半导体）制成的近场辐射器件在热能转换、辐射热整流和辐射热调制方面的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1909.05395,
title = {Super-Planckian Radiative Heat Transfer between Macroscale Plates with Vacuum Gaps Down to 190 nm Directly Created by SU-8 Posts and Characterized by Capacitance Method},
author = {Xiaoyan Ying and Payam Sabbaghi and Nicole Sluder and Liping Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.05395},
year = {2020}
}