用 GW 方法研究小硅-氢纳米团簇中的体等离激元和表面等离激元

对 Si$_{10}$-Si$_{60}$ 和 Si$_3$H$_8$-Si$_{39}$H$_{40}$ 范围内硅及硅-氢纳米团簇中的表面与体等离子体激发进行了数值计算。部分纳米团簇结构通过进化算法获得，其余取自数据库。采用 GW 方法计算所研究结构的响应函数和自能。所应用的方法显示出与实验一致的结果（等离激元-极化子伪影除外），并具有足够的灵敏度以研究团簇结构与尺寸对等离子体激发特定性质的影响。在所研究的硅及硅-氢纳米团簇中，表面是影响等离激元性质的关键因素之一。团簇表面硅悬键的钝化改变了等离激元频率并显著减小其阻尼，使得表面与体等离激元即使在小团簇中也能清晰区分。