超薄La2-xSrxCuO4薄膜中超流密度的静电调制

通过在高介电常数栅极绝缘层上施加电场对亚掺杂超薄La2-xSrxCuO4薄膜进行电容式充电，我们观察到在薄膜动力学电感测量中，对平面超流密度n$_{s\Box}$的相对变化幅度空前强大。尽管n$_{s\Box}$似乎受无序显著抑制，但数据首次在同一样品上提供了对铜氧化物超导体亚掺杂区Uemura关系T$_{c}\propto n_{s\Box}$(T=0)的直接而有力的证据。