含逃逸电子的电阻模的结构与过稳定性
等离子体物理
2020-09-11 v2
摘要
我们研究了托卡马克中逃逸电子电流对电阻磁流体力学模色散关系的影响。我们提出一个新的理论模型来推导色散关系，该模型基于对模的电阻层结构的渐近分析。研究发现，除常规电阻层外，还会出现一个新的逃逸电流层，其性质取决于阿尔文速度与逃逸电子对流速度之比。由于该层的贡献，撕裂模与扭曲模除增长率外还将具有实频率。所推导的色散关系已通过简化的特征值计算和 M3D-C1 线性模拟与数值结果进行比较，两种情形下均发现良好一致。
引用
@article{arxiv.2006.08463,
title = {Structure and overstability of resistive modes with runaway electrons},
author = {Chang Liu and Chen Zhao and Stephen C. Jardin and Amitava Bhattacharjee and Dylan P. Brennan and Nathanial M. Ferraro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.08463},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 6 figures