稳定 BaMn$_2$As$_2$ 反铁磁与半导体基态的结构畸变
强关联电子
2016-09-29 v1
摘要
我们报告证据表明，实验上发现的 BaMnAs 反铁磁结构以及半导体基态，是由存在于 BaMnAs 费米能级处具有特殊对称性的最优局域化 Wannier 态引起的。此外，我们发现晶体的（微小）四方畸变是稳定反铁磁半导体态所必需的。据我们所知，这种畸变尚未在实验上得到确立。
引用
@article{arxiv.1607.05890,
title = {Structural Distortion Stabilizing the Antiferromagnetic and Semiconducting Ground State of BaMn$_2$As$_2$},
author = {Ekkehard Krüger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05890},
year = {2016}
}