高阶 bimeron 与 antibimeron 寿命的显著增强
介观与纳米尺度物理
2026-05-21 v2
摘要
磁性 bimeron 类似于 skyrmion, 是由拓扑电荷 决定的拓扑非平凡自旋纹理. 目前的大多数研究集中在低 脱壳体 (), 例如 skyrmion、bimeron 和涡旋。 本文首次计算了 {环形} 高 bimeron 和 antibimeron 的寿命, 并证明它们在较宽范围的温度下远远稳定于高 skyrmion。 为获得更真实的结果, 我们选用的系统是可实验实现的 van der Waals 界面, FeGeTe/CrGeTe。 我们指出, 高 (anti)bimeron 的寿命可超过 那些 bimeron 的寿命高出三个数量级。 令人惊讶的是, 即使外推至室温 (RT), 此趋势仍然成立, 因为寿命主要由熵而非能垒决定。这与高 skyrmion 不同, 后者在接近 RT 时寿命会随 而下降。 我们将这种 skyrmion 与 bimeron 之间的根本差异归因于其不同的磁纹理对称性, 这些对称性导致不同的以熵为主导的寿命。
引用
@article{arxiv.2510.25478,
title = {Strongly enhanced lifetime of higher-order bimerons and antibimerons},
author = {Shiwei Zhu and Moritz A. Goerzen and Changsheng Song and Stefan Heinze and Dongzhe Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.25478},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 4 figures