将腔模强耦合至非均匀发射体系综：长寿命固态量子存储器的潜力
量子物理
2012-06-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们从理论上研究了腔模与连续分布发射体的耦合。讨论了发射体非均匀展宽对极化激元峰的存在及其相干性质的影响。我们发现，极化激元峰的相干性关键取决于分布的形状，而不仅仅是其宽度。在某些条件下，与腔的耦合可以保护极化激元态免受非均匀展宽的影响，从而延长基于发射体系综的量子存储器的存储时间。当两个不同的发射体系综耦合到谐振腔时，它们会支持一种特殊的集体暗态，这种暗态对于量子信息的存储也极具吸引力。
引用
@article{arxiv.1101.1842,
title = {Strongly coupling a cavity to inhomogeneous ensembles of emitters : potential for long lived solid-state quantum memories},
author = {I. Diniz and S. Portolan and R. Ferreira and J. M. Gérard and P. Bertet and A. Auffèves},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1842},
year = {2012}
}
备注
10 Pages, 6 Figures