低温蠕变中的强钉扎效应：TaS_3中的电荷密度波
材料科学
2016-08-31 v1 强关联电子
超导电性
摘要
在低至30 mK的低温区域，研究了准一维导体 o-TaS_3 中的非线性导电。发现温度低于几开尔文时，电流-电压（I-V）特性由多个分支组成。I-V曲线的温度演化通过分支的依次冻结而发生。每个分支的起源归因于特定的强钉扎杂质类型。预期在其他具有集体输运的物理系统（如自旋密度波、维格纳晶体、第二类超导体中的涡旋晶格等）中，当存在强钉扎中心时，也会出现类似行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9612247,
title = {Strong-Pinning Effects in Low-Temperature Creep: Charge-Density Waves in TaS_3},
author = {S. V. Zaitsev-Zotov and G. Remenyi and P. Monceau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9612247},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 3 ps figures, Revtex, To be published in Phys. Rev. Letters (1997)