CeO_{0.9}F_{0.1}Fe_{1-x}Co_xAs 中的强电子-电子关联与弱局域化
超导电性
2009-05-19 v1 强关联电子
摘要
通过氟（最高 Tc ~ 43 K）或钴（最高 Tc ~ 11 K）对半金属 CeOFeAs 进行电子掺杂可导致超导电性。本文展示了在铁位点用过渡金属 Co 替代对 CeO0.9F0.1FeAs（Tc ~38 K）超导性质的影响，以理解稀土-氧层和 Fe-As 层中载流子的相互作用。在两层中同时掺杂等量的载流子会导致 Tc 为 9.8 K，这低于仅单独掺杂导电层（CeAs）或电荷库层（CeO）时获得的 Tc。这表明两层之间存在明显的相互作用以调控超导电性。电阻率呈现 T^2 依赖关系（T >> Tc），表明存在强电子-电子关联。霍尔系数和热电势表明，随着钴掺杂进入 CeO0.9F0.1FeAs，载流子浓度增加。CeO0.9F0.1Fe0.95Co0.05As 和 CeO0.9F0.1FeAs 的射频穿透深度均呈现指数温度依赖关系，能隙值分别约为 1.6 和 1.9 meV。在正常态中，Tc 附近观察到一个电阻极小值，该极小值也表现出负磁电阻，为弱局域化的出现提供了证据。
引用
@article{arxiv.0905.2679,
title = {Strong electron-electron correlation and weak localization in CeO_{0.9}F_{0.1}Fe_{1-x}Co_xAs},
author = {S. J. Singh and J. Prakash and S. Patnaik and A. K. Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.2679},
year = {2009}
}