纹路：为何富孔的线条是反位相域壁？

对于 doped 反亚磁性体系中富孔纹路，我们探讨了反位相与同位相域壁基态配置之间的竞争。我们认为，随着电子/空穴填充分数的变化，必然会发生相变。由于{\em 横向}孔隙的动力学漂移，空域壁始终为反位相。对于任意电子填充分数 ($\delta$) 的域壁（特别是 LaNdSrCuO 中的 $\delta\approx1/4$），必须也考虑电子沿域壁的横向磁相互作用及其 mobility。我们发现，当 $\frac{J}{t}<{1/3}$ 时，反位相向同位相纹路域壁的相变发生在临界填充分数 $0.28<\delta_{c}<0.30$ 处。我们进一步利用该模型估算了纹路系统中的自旋波速度。最后，将该微观模型的结果与先前的范德湦理论方法联系起来。