Al-Cu合金中片状线性络合物处位错重构与局部攀移引起的强化
材料科学
2024-04-11 v2
摘要
位错处的应力驱动偏聚可导致不同线性络合物态之间的结构转变。本工作中，我们利用原子尺度模拟考察了片状阵列线性络合物如何影响位错运动，并量化了Al-Cu合金中相关的强化效应。片状络合物的存在导致位错小面化，其纳米尺度片段沿片状生长方向向上攀移，形成限制后续位错运动的复杂非平面构型。变形时，领先不全位错必须首先从片状络合物上向下攀移，随后拖曳不全位错经历类似过程，以克服析出相并启动塑性滑移。线性络合物的位错脱钉机制与传统析出强化合金截然不同，后者中位错通过切过或绕过障碍物来克服阻碍。研究发现，使位错从片状络合物脱钉所需的临界剪应力与析出相间距成反比，该间距不仅包括开放空间（如Orowan弯曲中所见），还包括发生攀移的片状颗粒沿线区域。因此，片状线性络合物提供了一种直接改异位错结构并改善金属合金力学性能的新途径。
引用
@article{arxiv.2308.16117,
title = {Strengthening from dislocation restructuring and local climb at platelet linear complexions in Al-Cu alloys},
author = {Pulkit Garg and Daniel S. Gianola and Timothy J. Rupert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.16117},
year = {2024}
}