纳米尺度精确热偏置的策略
介观与纳米尺度物理
2020-06-08 v2
摘要
我们分析了通过接触加热方案对纳米尺度电子导体进行热控制的优点与不足。理想情况下，这种直接的方法允许人们通过金属引线将已知的热偏置施加于纳米结构之上，从而避免传统的衬底中介。我们通过基于 InAs 纳米线的器件中使用平均噪声测温与局域噪声传感技术表明，SiO2 衬底上的纳米尺度金属收缩区表现为具有可忽略电子-声子弛豫和非理想引线的扩散导体。引线对所实现热偏置的非普适影响——取决于其尺寸、形状和材料组成——难以最小化，但可以在适当设计的纳米器件中精确校准。我们的结果使得热偏置校准问题简化为对加热器电阻的了解，并为纳米尺度精确热电或类似测量铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1812.06463,
title = {Strategy for accurate thermal biasing at the nanoscale},
author = {Artem Denisov and Evgeny Tikhonov and Stanislau Piatrusha and Ivan Khrapach and Francesco Rossella and Mirko Rocci and Lucia Sorba and Stefano Roddaro and Vadim Khrapai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06463},
year = {2020}
}
备注
revised version of a submitted manuscript