应变控制下CsV$_{3}$Sb$_{5}$电子超格域的调控

碳酸盐金属AV$_{3}$Sb$_{5}$（A = K, Rb, Cs）提供了一个独特的平台，用于探索电子相互作用的物理，凝聚态物理学中的核心挑战。揭示其相关行为的关键障碍在于确定哪些结构和电子自由度参与以及它们如何耦合。本文通过探索CsV$_{3}$Sb$_{5}$电子超格在应变下的行为，提出了一种新方法来解决这一重要问题。利用高分辨率X射线衍射，我们跟踪了$2\times 2\times 4$电子晶体的解缠，并发现其域的巨大应变响应。我们进一步表明，解缠后的$2\times 2\times 4$相具有内在的$2\mathbf{q}$调制和强模式耦合。密度泛函理论揭示，结构的$2\times 2\times 4$调制与V $3d$轨道强耦合，自然解释了其显著的应变响应。相比之下，低温下的$2\times 2\times 2$相对小单向应变几乎不受影响。这一二元性指向该两种电子有序对称性破坏和稳定机制的根本差异。更具体地说，我们的结果为电子自由度发挥主动作用提供了证据，这可以实现由竞争相互作用驱动的不同、复杂的有序模式。