通过栅压调控斯格明子霍尔角
介观与纳米尺度物理
2020-05-27 v2
摘要
磁性斯格明子可由外加自旋极化电子电流驱动，该电流对构成斯格明子的局域自旋施加自旋转移力矩。然而，纵向动力学受斯格明子霍尔效应困扰，导致斯格明子获得横向速度分量。我们展示了如何利用自旋轨道相互作用控制斯格明子霍尔角，以及自旋转移与自旋轨道力矩的相互作用如何导致横向运动的完全抑制。由于自旋轨道力矩可由栅压全电子化控制，斯格明子运动可在宽阔跑道上以高速全电子化操控，并可实现概念上全新的写入与门控操作。
引用
@article{arxiv.1902.09521,
title = {Steering of the Skyrmion Hall Angle By Gate Voltage},
author = {J. Plettenberg and M. Stier and M. Thorwart},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.09521},
year = {2020}
}
备注
see ancillary files for Supplemental Material and animations of the switching process