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堆叠控制的磁交换与磁电耦合:双层 CrI$_2$ 的研究

材料科学 2025-12-23 v2

摘要

我们采用第一性原理计算方法揭示了铬二碘 (CrI2_2) 双层材料的电子性质与磁性,并在稳定的堆叠构型之间建立了磁相互作用的层级结构。单层材料表现为 x 条纹亚铝磁基底态,而在双层结构中,BA^\prime 堆叠为全局最小能量构型,呈现垂直向反磁亚铝磁排列。双层结构通过 6%~10% 的增强平面内交换相互作用,而层间交换取决于堆叠构型。每种堆叠构型的对称性允许出现各向异性相互作用。在无中心对称性的结构中出现的 Dzyaloshinskii-Moriya 项,亦可产生最高可达约 1010 μ\muC/cm2^2 的面内极化电荷密度,从而在非中心对称单层中不存在的磁电耦合。因此,堆叠既是交换各向异性的选择器,也是磁电性质的驱动因素。我们的计算结果表明,双层 CrI2_2 可通过层间滑动进行机械重构,堆叠次序之间的能量差 (25~50 meV/单元) 适用于实验驱动。可调磁性和寄存器相关的极化电荷密度,为新型自旋电子器件提供了广阔的应用前景,结构转变可同时影响磁性状态与电偶极子。

关键词

引用

@article{arxiv.2509.22827,
  title  = {Stacking-Controlled Magnetic Exchange and Magnetoelectric Coupling in Bilayer CrI$_2$},
  author = {B. Valdés-Toro and I. Ferreira-Araya and R. A. Gallardo and J. W. González},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2509.22827},
  year   = {2025}
}

备注

11 pages, 4 figures