手性分子界面处的自发自旋选择性
材料科学
2023-08-25 v4
摘要
手性诱导自旋选择性（CISS）在过去二十年中得到了广泛研究。虽然手性分子中的电流诱导自旋极化被普遍认为是 CISS 的基本原理，但关于无偏电流的 CISS（即手性分子中不存在偏置电流）的研究报道甚少。近期利用手性分子/铁磁体双层体系研究手性诱导交换偏置和面内电流磁电阻（CIP-MR）效应的结果表明，界面处的手性分子具有热驱动的时间反演对称性破缺，从而诱导出无偏电流的 CISS，即系统中的自发有效磁场。本文从对称性角度简要回顾 CISS 相关现象，并讨论无偏电流 CISS 的机理。我们还讨论了手性分子的线性磁电效应可能性，该效应源于具有金属接触的分子的边缘自旋极化，及其对观测到的 CISS 现象的潜在影响。
引用
@article{arxiv.2305.13702,
title = {Spontaneous spin selectivity in chiral molecules at the interface},
author = {Kouta Kondou and Shinji Miwa and Daigo Miyajima},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.13702},
year = {2023}
}