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自旋三重态激子绝缘体:以graphone为例

材料科学 2020-04-29 v2 强关联电子

摘要

尽管文献中已研究多种激子绝缘体,但由于普遍认为自旋分裂过小,自旋三重态激子绝缘体十分罕见。然而,在诸如graphone的二维体系中,这是可能的,如结合Bethe-Salpeter方程的第一性原理计算所揭示。由有效哈密顿量给出的临界温度为11.5 K。尽管探测激子绝缘体仍是一项艰巨挑战,三重态激子的凝聚将导致自旋超流性,可通过输运实验直接测量。非局域介电屏蔽还导致一种意外现象,即graphone中单粒子能带与激子色散之间的间接-直接跃迁交叉,这为实验提供了另一种检验途径。

关键词

引用

@article{arxiv.1911.05244,
  title  = {Spin-Triplet Excitonic Insulator: The Case of Graphone},
  author = {Zeyu Jiang and Wenkai Lou and Yu Liu and Yuanchang Li and Haifeng Song and Kai Chang and Wenhui Duan and Shengbai Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1911.05244},
  year   = {2020}
}

备注

Accepted by PRL