n型单层过渡金属硫族化合物中的自旋输运
介观与纳米尺度物理
2016-05-11 v1
摘要
过渡金属硫族化合物(TMDs)中电子能谱的谷不对称性源于自旋轨道耦合。K和K'谷中电子的自旋轨道场符号相反，加上谷间散射的可能性，导致了非平凡的自旋动力学。这一动力学反映在非局域电阻对外磁场（Hanle曲线）的依赖关系中。我们从理论上计算了TMDs中的Hanle形状。结果表明，与无谷不对称性的常规材料不同，TMDs中的Hanle形状对于外磁场的法向和平行取向是不同的。对于法向取向，在慢谷间散射时它有两个峰，而在快谷间散射时形状是通常的。对于平行取向，Hanle曲线在零场处呈现尖点。该尖点是自旋动力学中慢衰减的谷不对称模式的标志。
引用
@article{arxiv.1602.04276,
title = {Spin transport in n-type single-layer transition metal dichalcogenides},
author = {Z. Yue and Kun Tian and A. Tiwari and M. E. Raikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.04276},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 3 figures