基于太赫兹发射光谱探测 RuO$_2$ 材料中自旋-电流转换
介观与纳米尺度物理
2026-04-28 v2 材料科学
摘要
我们利用太赫兹发射光谱技术，探讨了铁锰氧化物 RuO 薄膜中超快自旋-电流转换。我们对可能贡献于测量各向异性太赫兹发射的竞争效应进行定量分析，包括 RuO 中的各向异性逆自旋分离效应和自旋格林效应、RuO 的各向异性电导率，以及 TiO 衬底的双折射。我们观察到测量信号的主要贡献来自各向异性逆自旋格林效应，在室温下自旋格林角度平均为 。与此相比，来自铁锰氧化物逆自旋分离效应的可能贡献约为 。我们的工作强调，必须仔细区分由非传统铁锰氧化物有序性产生的自旋相关现象与相对论自旋轨道耦合效应之间的影响。
引用
@article{arxiv.2508.11481,
title = {Spin-to-charge-current conversion in altermagnetic candidate RuO$_2$ probed by terahertz emission spectroscopy},
author = {J. Jechumtál and O. Gueckstock and K. Jasenský and Z. Kašpar and K Olejník and M. Gaerner and G. Reiss and S. Moser and P. Kessler and G. De Luca and S. Ganguly and J. Santiso and D. Scheffler and J. Zázvorka and P. Kubaščík and H. Reichlova and E. Schmoranzerova and P. Němec and T. Jungwirth and P. Kužel and T. Kampfrath and L. Nádvorník},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.11481},
year = {2026}
}
备注
21 pages, 4 figures