多费米子RMn2O5材料中的自旋结构与磁盘担

G. R. Blake; L. C. Chapon; P. G. Radaelli; S. Park; N. Hur; S-W. Cheong; J. Rodriguez-Carvajal

doi:10.1103/PhysRevB.71.214402

多费米子RMn2O5材料中的自旋结构与磁盘担

强关联电子 2009-11-11 v1

作者: G. R. Blake , L. C. Chapon , P. G. Radaelli , S. Park , N. Hur , S-W. Cheong , J. Rodriguez-Carvajal

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摘要

我们利用中子衍射技术研究了磁电材料RMn2O5 (R = Tb, Ho, Dy)的晶体结构和磁结构。所有三种材料在40 K以下显示错位antiferromagnetic 定域，进一步降温后变为致密结构。对于R = Tb, Ho，存在低温下的致密-错位相转。所求的致密磁结构被讨论并以竞争交换相互作用为依据。ab平面内的自旋配置在每个体系中基本相同，R的半径决定了相邻平面之间的磁交换相互作用符号。这些材料固有的磁盘担被小的晶格变形所解除，这主要涉及Mn3+离子位移，导致出现偏转antiferroelectric相。

关键词

多费米子磁结构磁盘担中子衍射偏转antiferroelectric

引用

@article{arxiv.cond-mat/0501382,
  title  = {Spin structure and magnetic frustration in multiferroic RMn2O5 (R = Tb, Ho, Dy)},
  author = {G. R. Blake and L. C. Chapon and P. G. Radaelli and S. Park and N. Hur and S-W. Cheong and J. Rodriguez-Carvajal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501382},
  year   = {2009}
}

备注

23 pages

多费米子RMn2O5材料中的自旋结构与磁盘担

摘要

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