纤锌矿半导体中类氢杂质能级的自旋轨道效应
介观与纳米尺度物理
2019-04-09 v1
摘要
在包络函数近似下，使用一阶微扰理论计算了纤锌矿晶体结构半导体中类氢杂质的能级的修正。我们考虑了导带中的内禀（Dresselhaus）自旋轨道有效哈密顿量，并将其效应与重整化的外禀（Rashba）自旋轨道相互作用进行比较，后者类似于裸氢原子中的自旋轨道相互作用。为评估外禀自旋轨道相互作用，我们从8带Kane理论得到了纤锌矿半导体的重整化耦合常数。我们将理论应用于四种具有纤锌矿晶体结构的代表性二元半导体，即GaN、ZnO、InN和AlN，并讨论了内禀和外禀自旋轨道贡献效应的相对强度。
引用
@article{arxiv.1904.03374,
title = {Spin-orbit effects in the hydrogenic impurity levels of wurtzite semiconductors},
author = {O. L. Hernández Rosero and J. I. Melo and P. I. Tamborenea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03374},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 1 figure