铜氧化物中的自旋隙形成：规范理论

我们使用 t-J 模型的规范场描述分析了单层和双层铜氧化物的相图。对于 $T>T_{\text{BE}}$，面内费米子配对序参量 $\Delta_{\scriptscriptstyle\parallel}$ 被规范场涨落消除，这使我们预测单层铜氧化物中不存在自旋隙相。对于双层铜氧化物，层间序参量 $\Delta_\perp$ 被自旋关联增强，并且受规范涨落的影响较小。我们认为双层材料中的自旋隙源于层间费米子配对，并且对于这些欠掺杂样品，超导隙可能是无节点的。