半导体中非平衡电子与激子的自旋涨落

与现代物理中偏离热力学平衡相关的效应占有特殊地位。其中，量子系统中的非平衡现象吸引了最高的兴趣。迄今为止，自旋噪声谱实验技术已变得相当普及，使得观测半导体中载流子在平衡与非平衡条件下的自旋涨落成为可能。这需要发展非平衡条件下电子与电子-空穴复合体自旋涨落理论。本文中，我们考虑了一系列在自旋噪声中偏离平衡变得显著的物理情形。提出了一种计算非平衡态下电子与激子自旋涨落的通用方法。给出了该领域理论与实验结果的简要综述。