场缺陷引起的自旋修饰弛豫与频率偏移
原子物理
2018-11-21 v2
摘要
临界修饰是将两种自旋物种同时修饰至相同有效拉莫尔频率的技术,原则上可提高对小频率偏移的灵敏度。自旋修饰因而临界修饰的益处是以产生一个大的(相对于保持场 的)均匀振荡场为代价的。由于所产生场不可避免的缺陷,自旋修饰的益处可能因修饰场缺陷产生的额外弛豫与噪声而丧失。本分析中,弛豫与频率偏移问题通过模拟与理论加以研究。由一个包含保持场 与修饰场 中梯度的新拟量子模型给出解析预测,其中 以频率 振荡。结果与采用五阶 Runge-Kutta 积分器的蒙特卡洛模拟进行比较。给出了两种方法的比较,以及一组在振荡频率 范围内产生稳定临界修饰的优化参数,以及用于最大灵敏度的脉冲频率调制参数。
引用
@article{arxiv.1808.09580,
title = {Spin Dressed Relaxation and Frequency Shifts from Field Imperfections},
author = {C. M. Swank and E. K. Webb and X. Liu and B. W. Filippone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.09580},
year = {2018}
}