CdSe/CdS 纳米晶中的自旋依赖激子猝灭与本征自旋相干
介观与纳米尺度物理
2013-03-08 v1
摘要
半导体纳米晶大的表面积体积比导致其对电荷捕获敏感，这可改变发光产率并诱导单粒子闪烁。与自旋共振技术相比，光谱学技术无法区分体相陷阱和表面陷阱，而后者原则上可提供关于此类陷阱位点的化学信息。通过自旋控制光致发光进行磁共振检测，能够直接观测发光激子与捕获电荷之间的相互作用。这种方法使得我们能够区分 CdSe/CdS 纳米晶中导致荧光猝灭乃至闪烁机制的两种功能不同的陷阱态：带电粒子中的自旋依赖 Auger 过程；以及使粒子保持中性的电荷分离态对过程。顺磁性陷阱中心提供了对能量从宽禁带 CdS 转移到窄禁带 CdSe 的控制，即异质结构内的光收集。纳米晶四面体 CdS 臂陷阱态内的相干自旋运动反映在来自 CdSe 核的空间远程发光中，其在 3.5 K 下具有令人惊讶的长于 300 ns 的相干时间。
引用
@article{arxiv.1210.5684,
title = {Spin-dependent exciton quenching and intrinsic spin coherence in CdSe/CdS nanocrystals},
author = {Kipp J. van Schooten and Jing Huang and William J. Baker and Dmitri V. Talapin and Christoph Boehme and John M. Lupton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5684},
year = {2013}
}