硅中近表面电离 $^{125}$Te$^+$ 施主的自旋相干性
介观与纳米尺度物理
2022-06-03 v2
摘要
晶体矩阵中的杂质自旋是量子技术中有前景的组成部分，特别是当它们能在靠近表面和材料界面时保持其自旋特性。在此，我们研究一种用于微波域应用的有吸引力的候选者：植入天然硅中深度浅至 20~nm 的 VI 族 Te 施主的自旋。我们表明表面能带弯曲可用于将此类近表面 Te 电离至具有自旋活性的 Te 态，并且光学照射可进一步用于控制 Te 施主电荷态。我们考察了自旋激活产率、自旋线宽、弛豫时间 () 和相干时间 (\ttwo)，并展示了零场 3.5~GHz“时钟跃迁”如何将自旋相干时间延长至超过 1~ms，这比其他近表面自旋系统长约一个数量级。
引用
@article{arxiv.2108.07654,
title = {Spin coherence of near-surface ionised $^{125}$Te$^+$ donors in silicon},
author = {Mantas Šimėnas and James O'Sullivan and Oscar W. Kennedy and Sen Lin and Sarah Fearn and Christoph W. Zollitsch and Gavin Dold and Tobias Schmitt and Peter Schüffelgen and Ren-Bao Liu and John J. L. Morton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07654},
year = {2022}
}