α-(BEDT-TTF)₂I₃中自旋与电荷涨落及晶格效应对电荷有序的影响
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
本文从理论上研究了在3/4填充的各向异性三角晶格中，自旋与电荷涨落以及电子-声子耦合对α-(BEDT-TTF)₂I₃（BEDT-TTF=双(乙烯二硫代)四硫富瓦烯）中电荷有序的影响。通过精确对角化方法，我们计算了空穴密度分布以及转移积分相对于高温值的调制，作为电子-声子耦合强度的函数。结果清楚地表明，与θ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄相比，晶格效应对α-(BEDT-TTF)₂I₃的影响较弱，这与先前的实验结果一致。这一发现也与最近的平均场结果相符，并通过强耦合微扰理论得到了系统解释：在α-(BEDT-TTF)₂I₃中，自旋涨落的效应被电荷涨落部分抵消。
引用
@article{arxiv.0810.2536,
title = {Spin and Charge Fluctuations and Lattice Effects on Charge Orders in \alpha-(BEDT-TTF)_2I_3},
author = {Satoshi Miyashita and Kenji Yonemitsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2536},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 5 figures