通过受控对称性破缺实现自旋放大以用于自旋逻辑
介观与纳米尺度物理
2015-12-01 v2 材料科学
摘要
自旋放大是实现具有扇出能力的自旋电子电路的自旋电子学和自旋基逻辑面临的最关键挑战之一。我们提出了一种新的自旋放大概念，允许非磁性自旋通道中的小自旋电流控制附着铁磁体的磁化。关键步骤是将铁磁体置于不稳定对称态 (USS)，使得来自小自旋电流的小自旋转移力矩可以提供磁偏置，以控制自发对称性破缺并选择铁磁体的最终磁化方向。实现 USS 构型的两种提议方法是电压控制居里温度 (VC-TC) 和电压控制磁各向异性 (VC-MA)。我们认为，为了实际应用，需要开发具有更高 VC-TC 和 VC-MA 可调性的新型二维磁性材料。通过受控对称性破缺成功实现自旋放大，对于实施现有的自旋逻辑方案（例如“全自旋逻辑”）至关重要，并可能激发自旋电子电路和器件的替代思路。
引用
@article{arxiv.1501.07125,
title = {Spin Amplification by Controlled Symmetry Breaking for Spin-Based Logic},
author = {Roland K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.07125},
year = {2015}
}
备注
(6 pages, 3 figures)