热 Si/SiGe 量子点中低位谷态的光谱学
介观与纳米尺度物理
2026-07-13 v1 量子物理
摘要
Si 中低位谷态的存在可能阻碍大规模自旋量子处理器的发展。新型 Si/SiGe 异质结构和栅极堆栈的快速原型制作将是确定增加谷分裂途径的核心。我们比较了脉冲栅极光谱 (PGS) 和失谐轴光谱 (DAPS) 在高达 700 mK 温度下的性能。我们发现 DAPS 优于 PGS，DAPS 可以分辨小至约 86 eV 的谷分裂，而 PGS 的能量分辨率仅为约 210~eV。我们的工作表明，DAPS 可用于在高通量低温恒温器中在升高的温度下有效提取谷分裂。
引用
@article{arxiv.2607.11048,
title = {Spectroscopy of low-lying valley states in hot Si/SiGe quantum dots},
author = {Connor Nasseraddin and Heun Mo Yoo and Tanner M. Janda and Jason R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2607.11048},
year = {2026}
}