TCV 偏滤器脱靶的光谱学研究

本工作旨在理解 TCV 上的脱靶现象，重点分析 Balmer 线发射。为此开发了一套新的偏滤器光谱系统。Balmer 线分析技术的进一步发展使得从三体复合对 n=7 Balmer 线强度的贡献中提取详细信息成为可能。在密度爬升期间，根据靶板离子流的下降推断靶板处的等离子体发生脱靶。与此同时，靶板附近的 Balmer $6\rightarrow2$ 和 $7\rightarrow2$ 线发射由复合主导。随着芯部密度进一步增加，沿外侧腿直至 x 点的密度与复合率均上升，但靶板处依然最高。即使在达到的最高芯部密度下（Greenwald 分数为 0.7），复合与密度的峰值在极向可能偏离靶板不超过几厘米，这与其他更高密度的托卡马克不同，后者的复合与密度峰值随着芯部密度的增加持续向 x 点移动。在脱靶（粒子流下降）于靶板处开始时，推断出的复合量与靶板离子流相比很小。然而，复合可能具有更局域化的效应（针对某一磁通管），我们目前尚无法分辨这一点。随后，在达到的最高密度下，总复合量确实达到了与粒子流相似的量级。