界面调制外延双层石墨烯中电子关联的光谱证据
介观与纳米尺度物理
2022-06-22 v1 材料科学
强关联电子
摘要
超晶格势被理论预言可修正单粒子电子结构。由此产生的库仑相互作用主导的低能物理将产生高度新颖的多体现象。在此，通过原位隧穿光谱，我们展示了 6H-SiC(0001) 上外延双层石墨烯（BLG）中超结构调制的关联电子态特征。当载流子密度被 6x6 界面重构相的超晶格势局部准“调控”时，谱权重在电荷中性点两侧的两个宽峰之间发生转移。这种超越单粒子能带描述的检测到的非刚性能带偏移，暗示了关联效应的存在，可能归因于 6x6 重构对外延 BLG 中层间耦合的修正，正如魔角 BLG 中莫尔势所致。定量分析表明，本征界面重构显示出约 1/2 填充范围的高载流子可调性，相当于典型栅控 BLG/SiO2/Si 器件中约 70 V 的背栅电压。在具有重构相的界面调制外延 BLG 中的发现，将具有电子关联的 BLG 平台扩展至魔角情形之外，并可能激发对石墨烯体系及其他范德瓦耳斯材料中关联态的进一步研究。
引用
@article{arxiv.2112.00287,
title = {Spectroscopic evidence for electron correlations in the interface-modulated epitaxial bilayer graphene},
author = {Chaofei Liu and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.00287},
year = {2022}
}