溶质对纳米材料界面位错发射的影响：形核位点竞争与中和

界面形核是纳米晶材料塑性变形过程中位错产生的主导机制。旨在抑制晶粒生长以稳定纳米晶金属的溶质添加，可能会偏聚于晶界和三叉晶界处，从而影响位错发射过程。本文表明，在含有竞争性溶质偏聚位点和位错源的纳米晶材料中，由于不同界面处的偏聚速率不同，溶质添加的影响可能非常复杂。此外，在高浓度下，当溶质在晶界或三叉晶界附近形成团簇时，这些团簇与基体之间的界面可引入新的位错发射源，这些源可在较低的外加应力下被激活。因此，强度最大值可能出现在特定的溶质浓度处：超过此最佳溶质浓度继续添加溶质反而会降低材料强度。