石墨烯中热电子引发的软载流子倍增
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
通过使用玻尔兹曼形式，我们表明在石墨烯的电子输运过程中，碰撞电离导致的载流子倍增可以在相对较低的电场下发生。由于没有能隙，该效应不像传统半导体那样具有场阈值，而是电场的二次函数。我们还表明，由此产生的电流是电子温度的增函数，但随载流子浓度的增加而减小。
引用
@article{arxiv.1103.0051,
title = {Soft Carrier Multiplications by Hot Electrons in Graphene},
author = {Anuj Girdhar and Jean-Pierre Leburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0051},
year = {2015}
}