薄膜型altermagnet候选材料Mn5Si3中的磁迟滞与巴克豪斯效应
计算机与社会
2025-11-18 v2 人工智能
摘要
altermagnetism 作为第三种明确的共线磁有序类型近期引发广泛关注。我们在研究制备的 Mn5Si3 薄膜中制备的微米尺度霍尔棒器件的霍尔效应响应。通过固定磁场大小记录随时间变化的传输数据，我们观察到霍尔电压随时间的relaxation行为，其特征与铁磁薄膜中已广泛认可的磁黏性响应在定性和定量上相似。此外，霍尔电压随时间的记录显示清晰的单向阶梯， 我们将其解释为巴克豪斯阶梯，即在altermagnet候选材料中表现为磁 (霍尔矢量) 域突然重定位的实证证据。定量分析表明，尺寸为100 nm 的霍尔棒器件的巴克豪斯长度约为18 nm。
引用
@article{arxiv.2506.05925,
title = {Small Models, Big Support: A Local LLM Framework for Educator-Centric Content Creation and Assessment with RAG and CAG},
author = {Zarreen Reza and Alexander Mazur and Michael T. Dugdale and Robin Ray-Chaudhuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.05925},
year = {2025}
}