SliT:用于 J-PARC 缪子 $g-2$/EDM 实验的具有亚纳秒时间游走的条状传感器读出芯片
仪器与探测器
2020-10-28 v3 高能物理 - 实验
摘要
为在 J-PARC 测量缪子反常磁矩与电偶极矩,已研制出一种名为“SliT”的新型硅条读出芯片。SliT 采用 Silterra 180 nm CMOS 工艺设计,含混合信号集成电路。模拟电路为每个 128 路相同通道集成传统电荷灵敏放大器、成形放大器及两个不同鉴别器。数字部分包括存储存储器、事件构建块、串行器与 LVDS 驱动器。SliT 的显著特征是采用零交叉架构,该架构由 CR-RC 滤波器后接作为电压微分器的 CR 电路构成。此架构可生成具有亚纳秒幅度无关时间游走的击中信号,这是该实验的主要要求。测试结果显示,在 0.5 至 3 MIP 信号间时间游动为 ns。当条状传感器电容 pF 时,等效噪声电荷为 (rms)。其他如条状传感器读出芯片的功能亦在测试中得以验证。SliT128C 满足 J-PARC 缪子 /EDM 实验的全部要求。
引用
@article{arxiv.2006.08095,
title = {SliT: A Strip-sensor Readout Chip with Subnanosecond Time-walk for the J-PARC Muon $g-2$/EDM Experiment},
author = {Tetsuichi Kishishita and Yutaro Sato and Yoichi Fujita and Eitaro Hamada and Tsutomu Mibe and Tsubasa Nagasawa and Shohei Shirabe and Masayoshi Shoji and Taikan Suehara and Manobu M. Tanaka and Junji Tojo and Yuki Tsutumi and Takashi Yamanaka and Tamaki Yoshioka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.08095},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 12 figures