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交替自旋-1/2 链化合物 NaVOAsO$_4$ 中的单态基态

强关联电子 2019-01-30 v1 材料科学

摘要

我们报道了多晶 NaVOAsO4_4 的合成,并通过 X 射线衍射、磁化率、电子自旋共振(ESR)和 75^{75}As 核磁共振(NMR)测量以及密度泛函能带结构计算对其结构和磁性进行了详细研究。温度依赖的磁化率、ESR 强度和 NMR 谱线位移均可用交替自旋-1/21/2 链模型很好地描述,其交换耦合 J/kB52J/k_{\rm B}\simeq 52 K,交替参数 α0.65\alpha \simeq 0.65。由 T=1.5T=1.5 K 下测得的高场磁化等温线,得到能隙闭合的临界场为 Hc16H_{\rm c}\simeq 16 T,对应于零场自旋能隙 Δ0/kB21.4\Delta_0/k_{\rm B}\simeq 21.4 K。NMR 位移和自旋-晶格弛豫率在低温下均呈现活化行为,进一步证实了单态基态。自旋链与结构链并不重合,而自旋链间的耦合是受阻挫的。由于自旋能隙相对较小,NaVOAsO4_4 是进一步开展强磁场实验研究的有前景化合物。

关键词

引用

@article{arxiv.1810.06232,
  title  = {Singlet ground state in the alternating spin-$1/2$ chain compound NaVOAsO$_4$},
  author = {U. Arjun and K. M. Ranjith and B. Koo and J. Sichelschmidt and Y. Skourski and M. Baenitz and A. A. Tsirlin and R. Nath},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06232},
  year   = {2019}
}

备注

14 pages, 10 figures, 2 tables