微磁体场中双量子点内的单自旋操控
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v2
摘要
文献 [W. A. Coish and D. Loss, Phys. Rev. B 75, 161302 (2007)] 讨论了利用交换相互作用和高度非均匀磁场在双量子点中操控单自旋的方法。然而，在当前的横向双点设计中，很难通过微磁体的倾斜场实现如此大的非均匀性。因此，我们研究了一种直接适用于现实 GaAs 双点设置的类似自旋操控方案。我们估计，在由非均匀微磁体场诱导的单重态 - 三重态反交叉处实现的典型门时间可达几纳秒。我们讨论了通过选择合适的失谐脉冲和改进几何结构来优化初始化、读出和单自旋门的方法。我们还考察了核退相干和电荷噪声的影响。后者会引起失谐和隧穿幅度的涨落。我们的结果表明，该方案是实现快速单自旋操作的一种有前景的方法。
引用
@article{arxiv.1405.7618,
title = {Single-spin manipulation in a double quantum dot in the field of a micromagnet},
author = {Stefano Chesi and Ying-Dan Wang and Jun Yoneda and Tomohiro Otsuka and Seigo Tarucha and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.7618},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 11 figures