规范-希格斯统一中电子-正电子对撞机上的单希格斯玻色子产生

我们考察了 $SU(3)_C\times SO(5)_W\times U(1)_X$ 规范-希格斯统一（GHU）模型中经 $Z'$ 与 $W'$ 玻色子对单希格斯玻色子产生过程的贡献。特别地，我们分析了标准模型（SM）与 GHU 模型中三个单希格斯玻色子产生过程 $e^-e^+\to Zh$、$e^-e^+\to \nu\bar{\nu}h$ 与 $e^-e^+\to e^-e^+h$ 的截面。对于希格斯伴生产生过程 $e^-e^+\to Zh$，我们表明在满足当前实验约束的参数区域内，对初态电子与正电子质心能量 $\sqrt{s}=250$ GeV，相对 SM 的最大偏离约达 6%；对 $\sqrt{s}=500$ GeV 约达 20%，取决于电子与正电子的初态极化。在 $\sqrt{s}\lesssim 1$ TeV 范围内，相对 SM 的偏离随 $\sqrt{s}$ 单调增大。利用希格斯伴生产生过程，就卡拉比-丘（KK）质量而言可探测至数十 TeV 的能区。我们还表明，通过考察 $e^-e^+\to Zh$ 过程左右不对称度相对 SM 的偏离，可确定 GHU 模型中轻子多重态体质量的符号。经 $Z'$ 与 $W'$ 玻色子对 $e^-e^+\to \nu\bar{\nu}h$ 与 $e^-e^+\to e^-e^+h$ 过程截面的贡献，至少对 $\sqrt{s}\leq 1$ TeV 而言相对 $e^-e^+\to Zh$ 较小。与 SM 中相同，$e^-e^+\to\nu\bar{\nu}h$ 过程在 $\sqrt{s}\gtrsim 500$ GeV 时对单希格斯玻色子产生过程贡献为主，但仅在接近首阶 KK 规范玻色子或更高质量能标处才观测到对 SM 的大偏离。