纯掺杂低维自旋 1/2 能隙系统的模拟
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
具有反铁磁相互作用的低维自旋 1/2 系统在强量子涨落的驱动下表现出极具创新性的特征。特别是，几何效应或竞争性磁相互作用可在单态基态与第一激发三重态之间产生自旋能隙。在本章中，我们重点通过精确对角化方法及包括对某些微扰耦合同时进行平均场处理的一些扩展方法，对此类系统进行数值研究。在介绍 Lanczos 算法和描述空间群对称性之后，我们简要回顾了一些纯低维受挫自旋能隙系统。特别是，我们概述了磁受挫在无序相形成中的作用。很大一部分内容也致力于受挫 Spin-Peierls 系统，其中链间耦合以及杂质掺杂效应的作用已得到数值研究。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408363,
title = {Simulations of pure and doped low-dimensional spin-1/2 gapped systems},
author = {Nicolas Laflorencie and Didier Poilblanc},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408363},
year = {2009}
}
备注
Chapter book in Quantum Magnetism, Lecture Notes in Physics (2004)