模拟多量子阱太阳能电池
介观与纳米尺度物理
2010-06-10 v1
摘要
量子阱太阳能电池（QWSC）已被提出作为比同质结器件更高效率的途径。先前的研究已确定，载流子在正向偏压下以高效率从量子阱中逃逸并贡献于光电流。由于缺乏能够再现量子阱引起的增强载流子产生和增强复合的理论模型，解决这些电池效率极限的进展一直受阻。在此，我们提出了一个模型，该模型计算了由量子阱引起的增量产生和复合，并通过模拟一系列III-V族量子阱结构的实验光电流和暗电流-电压特性进行了验证。我们发现，如果使用从同质结构器件导出的寿命，预测的暗电流显著大于实验值。只有引入一个表示准费米能级分离减小的参数，才能成功模拟光电流和暗电流。
引用
@article{arxiv.1006.1851,
title = {Simulating multiple quantum well solar cells},
author = {James P. Connolly and Jenny Nelson and Keith W. J. Barnham and Ian Ballard and C. Roberts and J. S. Roberts and C. T. Foxon and .},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1851},
year = {2010}
}
备注
Preprint submitted to the 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Anchorage, Alaska, USA, Sept. 2000, pp. 1304-1307