石墨的散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v3
摘要
我们报告了对单层和多层石墨器件中电流噪声的测量结果。在四个单层石墨器件中（包括一个p-n结），Fano因子在改变载流子类型和密度后保持恒定在±10%范围内，平均值为0.35至0.38。多层器件中Fano因子在载流子密度从电荷中性点的最大值0.33下降至高载流子密度处的0.25。这些结果与球形和无序石墨的散粒噪声理论预测进行了比较。
引用
@article{arxiv.0711.3206,
title = {Shot Noise in Graphene},
author = {L. DiCarlo and J. R. Williams and Yiming Zhang and D. T. McClure and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.3206},
year = {2009}
}
备注
related papers available at http://marcuslab.harvard.edu