(In,Ga)As 量子点中动态核极化对外磁场的屏蔽
介观与纳米尺度物理
2021-08-11 v2
摘要
在 1 GHz 重复频率的周期光激发下，研究了单电荷 (In,Ga)As/GaAs 量子点 (QDs) 系综中电子-核自旋耦合系统的动力学。结合电子-核相互作用，高度重复的激发使我们能将电子自旋锁定在横向外磁场中的磁共振上。将磁场扫至更高值，该锁定由于动态核极化导致显著强度的有效“抗磁”响应，其至少部分屏蔽 QD 电子免受外场影响，甚至可使内磁场在高达 1.3 T 的场变化中保持恒定。我们通过依赖于磁场的核极化率对该效应建模，并由此提出一种通过光激发与电子跃迁之间的失谐来调节核极化的策略，此外还可调节磁场。
引用
@article{arxiv.2101.04469,
title = {Shielding of external magnetic field by dynamic nuclear polarization in (In,Ga)As quantum dots},
author = {E. Evers and N. E. Kopteva and I. A. Yugova and D. R. Yakovlev and M. Bayer and A. Greilich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.04469},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 9 figures