铜氧化物超导体顺磁态中的阴影特征与阴影带

使用弱到中等耦合方法研究了铜氧化物超导体中反铁磁带前驱体的条件。结果表明，由于接近反铁磁不稳定性，实际上存在三种不同的前驱效应：i) 与格林函数中新极点相关的阴影带；ii) 由于散射率的热增强而产生的色散阴影特征；iii) 由于量子自旋涨落而存在的非色散阴影特征，该特征仅存在于谱函数 $A(\omega _{Fixed},\vec{k})$ 的 $\vec{k}$ 扫描中。我发现，在重整化经典区域中，当 $T\gg \omega _{sf}$，$\xi_{AFM} >\xi_{th}=v_F/T$（$\omega _{sf}$ 是自旋涨落的特征能量，$\xi_{th}$ 是电子的热波长）时，$A(\omega,\vec{k})$ 中的色散阴影峰可以在有限温度 T 下存在。相反，在零温度下，仅在 $A(\omega_{Fixed},\vec{k})$ 中发现了非色散阴影特征。然而，我发现后一种效应总是非常小。该理论预测在最佳掺杂材料中没有阴影效应。讨论了在光电子发射中可观察到阴影峰的条件。