快速transmon单量子比特门中瞬态泄漏暴露与端点消除的分离

弱非谐transmon上的快速单量子比特门受到向非计算态泄漏的限制，标准缓解措施如DRAG（绝热门导数去除）作用于门结束时的泄漏幅度。我们表明，该端点幅度和门期间累积的瞬态泄漏暴露是两个不同的控制目标，可以分配给独立的模块。端点是驱动谱的单个样本 $|\tilde\Lambda(\eta)|^2$；暴露是关于 $\eta$ 的带积分，并控制退相干下的泄漏，而谱零点条件 $\tilde\Lambda(\eta)=0$ 仅约束前者。我们在路径-端点分离脉冲（PESP）中实现了这种分离：路径整形脉冲抑制暴露，双音端点消除脉冲消除残余幅度。对于在 $\eta/2\pi=0.2$ GHz 下的 $10$ ns $R_{X}(\pi/2)$ 门，在数值模拟中，路径整形脉冲相对于余弦DRAG将退相干暴露减少了 ${\sim}21\%$，独立模拟的Lindblad过量泄漏减少了 ${\sim}20\%$，与 $P_{\mathrm{excess}}^{\phi}\simeq\gamma_\phi T\bar{P}_{A}^{\mathrm{deph}}$ 一致，而匹配预算的仅端点和谱零点控制使其基本不变。残余端点基底精确地分裂为 $|2\rangle$ 反作用和 $|3\rangle$ 级联，两个音调一对一地抵消它们，将路径暴露拐点处的基底从 ${\sim}7\times10^{-7}$ 驱动到 ${\sim}3\times10^{-8}$，而不干扰路径。通过分离瞬态暴露和端点泄漏，PESP将快速弱非谐门中的泄漏抑制转变为一个模块化、可解释的控制问题：退相干诱导的泄漏和相干残余误差由独立、可单独验证的模块减少。