偏振自旋-1 目标上的半包容性深层电子散射. II. 中子束与光谱标记

我们发展了针对偏振自旋-1 目标进行半包容性深层电子散射的理论框架，并将其应用于对偏振中子束进行光谱标记散射。在第一部分（前一篇文章）中，我们呈现自旋-1 目标的半包容性散射截面和极化可观测量的通用形式。在第二部分（本文）中，我们考虑对偏振中子束进行光谱标记散射，这是目标破碎的特例。采用轻相位量化方法来分离高能过程中的核结构和强子结构，以实现复合描述。从自旋中子束的旋转协变 3 维波函数中获得其轻相位波函数，这是在质子-中子系统的中心-of-mass 系中的协变形式。在冲击近似下计算被标记结构函数。活跃中子的动量和自旋分布由中子束的偏振状态以及检测到的光谱中子动量（$D/S$ 波比）所控制。评估了一般中子束偏振（矢量和张量，纵向和横向）下的散射截面和自旋不对称，作为函数形式存在于被标记中子的动量上。对于约 300 MeV 的光谱动量，实现约为 1 的张量偏振自旋不对称，这些动量选取了具有较大 $D$ 波的构型。推导了被标记自旋结构函数的和关系。结果可用于模拟未来偏振固定靶实验（JLab）或电子-离子复合体中的光谱标记。